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有望取代DRAM和SRAM,德國研究人員推動MRAM技術的發展

發布日期：2022-07-14 點擊率：42

技術研究院(PTB)研發小組進行了一項實驗,通過磁性介質以從物理學角度理論上可行的最快速度完成數據的存儲和讀寫。這將助于使磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)的讀寫速度趕上相應的電子存儲器件。

DRAM和SRAM。因為現在流行的計算機存儲芯片如DRAM和SRAM都存在掉電后數據即丟失的缺點,而MRAM并非通過電荷充電而是通過改變其存儲單元的磁性方向來存儲數據,因此不會受掉電的影響。通過對MRAM的存儲單元加正脈沖或負脈沖即可寫入計算機內部數據 (0/1)。最新一代MRAM采用轉矩(spin-torque)技術可以實現更高存儲密度。正因MRAM具有上述優點,全球研發人員都在積極開發用于MRAM的技術解決方案。

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