此 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench ? 工藝制造，該工藝已針對 RDS (on) 、開關性能和堅固性進行了優化。
最大 RDS (on) =109 Ω ， VGS =10 V ， ID =2.7 A
最大 RDS (on) =176 M Ω ， VGS = 6V ， ID = 2.1 A
高性能溝槽技術，用于極低的 RDS (on)
高功率和電流處理能力，采用廣泛使用的表面安裝封裝
快速切換速度
應用
該產品可通用，適用于許多不同的應用。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 封裝類型 | TSOT-23 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 1.6 W |
| 引腳數目 | 6 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
