60 V,3 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管,PNP 低 VCEsat 突破性小信號 (BISS) 晶體管采用中等功率 SOT223 (SC-73) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝。NPN 互補型:PBSS4360Z。
低集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCEsat
高集電極電流容量 IC 和 ICM
由于產(chǎn)生較少的熱量,因此具有高能源效率
符合 AEC-Q101
直流-直流轉(zhuǎn)換
電源線路開關(guān)
電池充電器
LED 背光
低電源電壓應(yīng)用(例如燈和 LED)中的驅(qū)動器
電感負載驅(qū)動器(例如繼電器、蜂鳴器和電動機)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
晶體管類型 | PNP |
最大直流集電極電流 | -3 mA |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 60 V |
封裝類型 | SC-73,SOT-223 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
最大功率耗散 | 1.35 W |
最小直流電流增益 | 150 |
晶體管配置 | 單 |
最大集電極-基極電壓 | -80 V |
最大發(fā)射極-基極電壓 | -60 V |
最大工作頻率 | 130 MHz |
引腳數(shù)目 | 4 |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |