這些 N 通道 100V 指定 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench 工藝制造，該工藝經過特別定制，可最大程度地降低電阻，同時保持低柵電荷，從而提供卓越的開關性能。這些器件的設計旨在為那些價格較高的 SO-8 和 TSSOP-8 封裝不實用的應用提供超凡的功耗。
1.0 A ， 100 V
RDS (on) =500M Ω @VGS =10V
RDS (on) =550 M Ω @VGS =6 V
低柵電荷（典型 3.7NC ）
快速切換速度
高性能溝槽技術，用于極低的 RDS (on)
SuperSOT ? -6 封裝：體積小 72% （小于標準 SO-8 封裝），薄型（ 1mm 厚）
應用
該產品可通用，適用于許多不同的應用。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 封裝類型 | TSOT-23 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 960 mW |
| 引腳數目 | 6 |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
