 
    
    
    
   ON Semiconductor 1200 V , 40 A 超場截止 IGBT。此 IGBT 使用快速切換共封裝二極管,使其特別適用于硬切換應用,其中 EON , IRRM 和 TRR 是決定損耗的重要因素。超場停止 IGBT 為低傳導損耗設備提供出色的 切換損耗。
                        
                            40 A 時低 VCE (sat) 1.55V 
Eon 1.04mJ @ 600V/40A
Eoff 1.35mJ @ 600V/40A
IRRM 41.3A @ 175C 1A/ns 40A 
                        
                    
| 屬性 | 數值 | 
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 80 A | 
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V | 
| 最大柵極發射極電壓 | 20V | 
| 最大功率耗散 | 153 W | 
| 晶體管數 | 30 | 
| 封裝類型 | TO-247 |