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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi FGA50S110P IGBT

訂 貨 號(hào)：FGA50S110P      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi FGA50S110P IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

分離式 IGBT、1000V 及以上，F(xiàn)airchild Semiconductor

IGBT 分立件和模塊，F(xiàn)airchild Semiconductor

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱(chēng)。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 50 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1100 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±25V
最大功率耗散 300 W
封裝類(lèi)型 TO-3PN
安裝類(lèi)型 通孔
通道類(lèi)型 N
引腳數(shù)目 3
晶體管配置 單
尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm
暫無(wú)

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