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STMicroelectronics STGF30H65DFB2 IGBT

訂 貨 號:STGF30H65DFB2      品牌:Tronics

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

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STMicroelectronics STGF30H65DFB2 IGBT
產品詳細信息

STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進 Advanced gate field-stop 結構的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce ( sat )行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導性能得到了優(yōu)化。

最大接點溫度: tj = 175 °c
低 vce ( sat ) = 1.65 v (典型值) @ ic = 30 a
非常快速且軟恢復的共封二極管
最小化尾電流
嚴格的參數(shù)分布
低熱阻


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 50 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 650 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
晶體管數(shù) 1
最大功率耗散 50 W
封裝類型 TO-220FP
引腳數(shù)目 3
暫無

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