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U/U4 系列,第 5 代現(xiàn)場擋塊
S - 系列,第 4 代 NPT 
                        
                    
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 最大連續(xù)集電極電流 | 1.2 kA | 
| 最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1700 V | 
| 最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V | 
| 最大功率耗散 | 4.96 kW | 
| 配置 | 串行 | 
| 封裝類型 | M256 | 
| 安裝類型 | 螺絲安裝 | 
| 通道類型 | N | 
| 引腳數(shù)目 | 4 | 
| 尺寸 | 140 x 130 x 38mm |