 
    
    
    
   STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進 Advanced gate field-stop 結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce ( sat )行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導(dǎo)性能得到了優(yōu)化。
                        
                            最大接點溫度: tj = 175 °c
低 vce ( sat ) = 1.65 v (典型值) @ ic = 20 a
非??焖偾臆浕謴?fù)的共封二極管
最小化尾電流
嚴格的參數(shù)分布
低熱阻 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 最大連續(xù)集電極電流 | 40 A | 
| 最大集電極-發(fā)射極電壓 | 650 V | 
| 最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V | 
| 晶體管數(shù) | 1 | 
| 最大功率耗散 | 147 W | 
| 封裝類型 | TO-220 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 |