ON Semiconductor 完全集成的反相器功率級包括一個高電壓驅(qū)動器,六個 IGBT 和一個熱敏電阻,適用于驅(qū)動永磁同步電動機,無刷直流電動機和交流異步電動機。IGBT 配置在 3 相橋中,帶有單獨的發(fā)射器連接,用于較低的支腳,以在選擇控制算法時提供最大的靈活性。
DBC 具有良好的散熱性
通過高功率密度優(yōu)化損耗和 EMI
多功能集成,用于緊湊型設(shè)計
通過嵌入式 NTC 實現(xiàn)更準確的模塊溫度測量
集成限幅二極管和電阻器
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 最大集電極-發(fā)射極電壓 | 600 V |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 晶體管數(shù) | 6 |
| 封裝類型 | DIP |
| 通道類型 | N |
| 引腳數(shù)目 | 38 |
| 晶體管配置 | 串行 |