STMicroelectronics IGBT 使用 Advanced 專有溝道柵極場停止結構開發。此設備是 H 系列 IGBT 的一部分，它代表傳導和切換損耗之間的最佳平衡，以最大程度提高高切換頻率轉換器的效率。此外， VCE (sat) 溫度系數略為正，參數分布非常緊密，可實現更安全的并聯操作。
最大接點溫度 TJ = 175 °C
μs 耐受時間為 5 μ s
低 VCE (sat) = 2.1 V (典型值) @ IC = 50 A
嚴格的參數分布
正 VCE (sat) 溫度系數
低熱阻
反并聯二極管恢復速度非常快
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 50 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 535 W |
| 晶體管數 | 1 |
| 封裝類型 | 最大 247 長引線 |
| 配置 | 串行 |
