STMicroelectronics IGBT 采用先進的專利場截止型溝槽柵極結構開發方法。該器件屬于 H 系列絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)，可在傳導和切換損耗之間實現最佳平衡，從而最大程度地提高高切換頻率轉換器的效率。此外，VCE(飽和) 溫度系數略微偏正且參數分布非常緊密，可讓并聯操作更安全。
最大接點溫度 TJ = 175 °C
短路耐受時間 5 μs
在 = 75 A 時，VCE(飽和) = 2.1 V（典型值）
參數分布緊密
正 VCE(飽和) 溫度系數
低熱阻
超快恢復反射并聯二極管
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 150 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 750 W |
| 封裝類型 | Max247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
