使用新型現場停止 IGBT 技術， ON Semiconductor 公司推出的第 4 代 RC IGBT 系列新產品為整流器 PFC 級和工業應用提供了最佳性能。
最高結溫： TJ =175 ° C
良好的溫度共效，便于并行操作
高電流容量
低飽和度電壓： VCE (SAT) = 1.6V (typ.) @IC =40A
高輸入阻抗
已測試 ILM 的 100% 部件
快速切換
已擰緊的參數分布
具有單片反向導電二極管的 IGBT
應用
消費電器
PFC ，焊接器
工業應用
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 80 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 94 W |
| 晶體管數 | 1 |
| 封裝類型 | TO-3PF |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 15.7 x 5.7 x 24.7mm |
