V系列,第6代場截止
u/1u U4 系列、 第5代場截止
hh 系列、平面NPT高速選擇器IGBT
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 最大連續(xù)集電極電流 | 200 A |
| 最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 1.39 kW |
| 封裝類型 | M249 |
| 配置 | 單 |
| 安裝類型 | 面板安裝 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數(shù)目 | 7 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 108 x 62 x 30mm |