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Vishay SI4896DY-T1-E3 MOSFET

訂 貨 號：SI4896DY-T1-E3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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公司基本資料信息







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Vishay SI4896DY-T1-E3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 N 溝道 MOSFET 是一種新時代的產(chǎn)品，漏極源電壓為 80V ，最大柵極源電壓為 20V。在 10V 的柵極源電壓下，漏極 - 源電阻為 16.5mohm。它具有 1.56W 的功耗和 6.7A 的連續(xù)漏極電流。此 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動電壓分別為 6V 和 10V。MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開關和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命，而不會影響性能或功能。

特點和優(yōu)勢

? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

應用

?適配器開關
?負載開關

認證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC 61249-2-21


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 9.5 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 SO
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.022 O
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2V
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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