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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi NVMFD6H840NLT1G MOSFET

訂 貨 號(hào)：NVMFD6H840NLT1G      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi NVMFD6H840NLT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車功率 MOSFET 采用 3 x 3 mm 扁平引線封裝，設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì)，包括高熱性能。可潤側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。支持 MOSFET 和 PPAP，適用于汽車應(yīng)用。

體積小巧 (5x6 mm)
緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS（接通）
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和電容
最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
NVMFS5C410NLWF ? 可潤側(cè)翼選件
增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
支持 PPAP
應(yīng)用
反向器電池保護(hù)
開關(guān)電源
電源開關(guān)（高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等）


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 74 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 8.8 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 3.1 W
晶體管配置 雙路
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 5.1mm
每片芯片元件數(shù)目 2
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 32 nC @ 10 V
長度 6.1mm
暫無

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