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訂 貨 號(hào):STW18N60DM2 品牌:Tronics
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改進(jìn)的二極管反向恢復(fù)時(shí)間,可提高效率,此系列經(jīng)優(yōu)化可用于全橋相移 ZVS 拓?fù)洹?
                        
                            高 dV/dt 能力,可提高系統(tǒng)可靠性
符合 AEC-Q101 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 12 A | 
| 最大漏源電壓 | 600 V | 
| 封裝類(lèi)型 | TO-247 | 
| 安裝類(lèi)型 | 通孔 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 290 mΩ | 
| 通道模式 | 增強(qiáng) | 
| 最大柵閾值電壓 | 4V | 
| 最小柵閾值電壓 | 2V | 
| 最大功率耗散 | 90 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -25 V、+25 V | 
| 晶體管材料 | Si | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 寬度 | 5.15mm | 
| 長(zhǎng)度 | 15.75mm | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 20 nC @ 10 V |