 
    
    
    
   HEXFET? 功率 MOSFET 的這一條紋平面設計最新加工工藝在單位硅面積實現極低導通電阻。此 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 175°C 結點工作溫度、快速開關速度和改進的重復雪崩額定值。這些優勢相結合,形成這款極其高效且可靠的設備,適合用于各種應用。
                        
                            優點:
低 RDS(接通)
動態 dv/dt 額定值
快速切換
175°C 工作溫度
目標應用:
消費全橋
全橋
推挽式 
                        
                    
| 屬性 | 數值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續漏極電流 | 130 A | 
| 最大漏源電壓 | 75 V | 
| 封裝類型 | TO-220AB | 
| 安裝類型 | 通孔 | 
| 引腳數目 | 3 + Tab | 
| 最大漏源電阻值 | 7.8 mΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最大柵閾值電壓 | 4V | 
| 最小柵閾值電壓 | 2V | 
| 最大功率耗散 | 330 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | 20 V | 
| 每片芯片元件數目 | 1 | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 160 nC @ 10 V | 
| 長度 | 10.67mm | 
| 最高工作溫度 | +175 °C | 
| 寬度 | 4.83mm |