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高性能通道技術(shù),RDS(接通)極低
SyncFET? 得益于高效的肖特基主體二極管
應(yīng)用:同步整流直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動機驅(qū)動器、網(wǎng)絡(luò)負(fù)載點低側(cè)開關(guān) 
                        
                    
                        
                            在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 76 A | 
| 最大漏源電壓 | 30 V | 
| 封裝類型 | MLP | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 8 | 
| 最大漏源電阻值 | 5.8 mΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最大功率耗散 | 36 W | 
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V | 
| 長度 | 3.3mm | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 寬度 | 3.3mm | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 37 nC @ 10 V |