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訂 貨 號(hào):NTMFS6H818NT1G 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

汽車(chē)功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。
特點(diǎn)
體積小巧 (5 x 6 mm)
低 RDS(接通)
低 QG 和電容
優(yōu)點(diǎn)
緊湊設(shè)計(jì)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
應(yīng)用
開(kāi)關(guān)電源
電源開(kāi)關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半
橋等)
48V 系統(tǒng)
電池管理和保護(hù)
最終產(chǎn)品
電動(dòng)機(jī)控制
直流/直流轉(zhuǎn)換器
負(fù)載開(kāi)關(guān)
電池組和 ESS
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 123 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類(lèi)型 | DFN |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 3.7 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 3.8 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 46 nC @ 10 V |
| 長(zhǎng)度 | 5.1mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 寬度 | 6.1mm |