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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi NTMFS6H818NT1G MOSFET

訂 貨 號：NTMFS6H818NT1G      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NTMFS6H818NT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

汽車功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝，設(shè)計用于緊湊型高效設(shè)計，包括高熱性能。

特點
體積小巧 (5 x 6 mm)
低 RDS（接通）
低 QG 和電容

優(yōu)點
緊湊設(shè)計
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
最大限度地減少驅(qū)動器損耗
應(yīng)用
開關(guān)電源
電源開關(guān)（高側(cè)驅(qū)動器、低側(cè)驅(qū)動器、半
橋等）
48V 系統(tǒng)
電池管理和保護
最終產(chǎn)品
電動機控制
直流/直流轉(zhuǎn)換器
負載開關(guān)
電池組和 ESS


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 123 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 5
最大漏源電阻值 3.7 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 3.8 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 46 nC @ 10 V
長度 5.1mm
最高工作溫度 +175 °C
寬度 6.1mm
暫無

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