 
    
    
    
   | 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N,P | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 5.7 A,7.5 A | 
| 最大漏源電壓 | 40 V | 
| 封裝類型 | SOIC | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 8 | 
| 最大漏源電阻值 | 40 mΩ、45 mΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最大柵閾值電壓 | 1.8V | 
| 最大功率耗散 | 2.14 W | 
| 晶體管配置 | 隔離式 | 
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V | 
| 寬度 | 3.95mm | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 晶體管材料 | Si | 
| 長度 | 4.95mm | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 33.7 nC @ 10 V,37.6 nC @ 10 V |