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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
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onsemi NTPF190N65S3HF MOSFET

訂 貨 號(hào)：NTPF190N65S3HF      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi NTPF190N65S3HF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高電壓超級(jí)結(jié)點(diǎn) (SJ) MOSFET這種先進(jìn)的技術(shù)專(zhuān)門(mén)用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主體二極管優(yōu)化反向恢復(fù)性能，可消除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150 °C 時(shí)為 700 V
超低柵極電荷（典型 Qg = 35 nC）
低有效輸出電容（典型 COSS (EFF.)=467 pF ）
低有效輸出電容（典型 COSS (EFF.)=467 pF ）
優(yōu)化的電容
典型值 RDS (on) =161M Ω
低溫運(yùn)行時(shí)系統(tǒng)可靠性更高
低切換損耗
低切換損耗
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應(yīng)用
計(jì)算
消費(fèi)品
工業(yè)
最終產(chǎn)品
筆記本電腦/臺(tái)式電腦/游戲控制臺(tái)
電信/服務(wù)器
LED 照明/鎮(zhèn)流器
適配器


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 20 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類(lèi)型 TO-220
安裝類(lèi)型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 190 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 36 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±30 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.9mm
長(zhǎng)度 10.63mm
典型柵極電荷@Vgs 34 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無(wú)

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