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onsemi NTP082N65S3F MOSFET

訂 貨 號:NTP082N65S3F      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NTP082N65S3F MOSFET
產品詳細信息

SuperFET? III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列,利用電荷平衡技術實現出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術專門用于最大限度地降低傳導損耗,提供卓越的切換性能,并能承受極端的 dv/dt 速率。因此,SuperFET III MOSFET 非常適合用于各種電源系統,以實現小型化和更高的效率。SuperFET III FRFET? MOSFET 中主體二極管的反向恢復性能經過優化設計,無需額外器件,并能提高系統可靠性。

TJ = 150 °C 時為 700 V
低溫運行時系統可靠性更高
超低柵極電荷(典型 Qg = 81 nC)
低切換損耗
低有效輸出電容(典型 Coss(eff.) = 722 pF)
低切換損耗
優化的電容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
極佳的主體二極管性能(低 Qrr、堅固的主體二極管)
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統可靠性
典型 RDS(接通)= 70 m?
應用
電信
云系統
工業
電信電源
服務器電源
太陽能/UPS
EV 充電器


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 40 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數目 3 + Tab
最大漏源電阻值 82 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 313 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 10.67mm
典型柵極電荷@Vgs 81 nC @ 10 V
每片芯片元件數目 1
寬度 4.7mm
暫無

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