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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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臺(tái)灣積體電路 TSM60NB260CI C0G MOSFET

訂 貨 號(hào)：TSM60NB260CI C0G      品牌：

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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臺(tái)灣積體電路 TSM60NB260CI C0G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Taiwan Semiconductor 600V ， 13A ， 0。26Ω Ω ， 3 引腳， N 溝道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強(qiáng)溝道模式。它通常用于電源和交流 / 直流 LED 照明應(yīng)用。

超接合技術(shù)
小品質(zhì)因數(shù)確保高性能
高堅(jiān)固性性能
高換向性能
經(jīng)過 100% UIL 測試
無鉛電鍍
符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 IN
符合 WEEE 2002/96/EC
無鹵素，符合 IEC 61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
32.1W 最大功耗
柵極閾值電壓范圍為 2V-4V


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 13 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 ITO-220S
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 260 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 32.1 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±30 V
長度 10mm
寬度 4.6mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 30 nC @ 10 V
暫無

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