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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Toshiba TJ15P04M3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：TJ15P04M3      品牌：東芝_Toshiba

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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  • 產(chǎn)品評(píng)價(jià)（0）
Toshiba TJ15P04M3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

低漏-源通態(tài)電阻：RDS（接通）= 28 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)
低泄漏電流：IDSS = -10 μA（最大值）(VDS = -40 V)
增強(qiáng)模式：Vth = -0.8 至 -2.0 V（VDS = -10 V，ID = -0.1 mA）
應(yīng)用：
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
電源管理開關(guān)


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 15 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 DPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 48 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 0.8V
最大功率耗散 29 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 7.18mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 26 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 6.6mm
暫無

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