 
    
    
    
   采用 TO-Leadless (TOLL) 封裝的 Infineon n 溝道 power MOSFET IPT026N10N5 非常適合高開關(guān)頻率。與 D2PAK 7pin 封裝相比,可節(jié)省 60% 的空間,TOLL 是需要最高效率、出色的 EMI 性能以及最佳熱性能和節(jié)省空間的完美解決方案。
                        
                            非常適合高頻開關(guān)和同步
出色的柵極電荷 x RDS(導(dǎo)通)產(chǎn)品(FOM)
超低導(dǎo)通電阻 RDS(導(dǎo)通) 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 202 A | 
| 最大漏源電壓 | 100 V | 
| 封裝類型 | D2PAK | 
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |