the Infineon ex場 系列單 n 溝道功率 mosfet 。此 HEXFET? 功率 MOSFET 利用最新工藝技術(shù)實現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。
超低接通電阻
175°C 工作溫度
快速切換
無導(dǎo)線
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 62 A |
最大漏源電壓 | 55 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.011. Ω |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |