 
    
    
    
   
                        
                            OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計符合并超過計算機應(yīng)用中更嚴格的下一代電壓調(diào)節(jié)標準的能效和功率密度要求。
   
                        
                    
                        
                            N 通道 - 增強模式
符合汽車 AEC Q101 規(guī)格
MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色封裝(無鉛)
超低 Rds(on) 
                        
                    
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 300 A | 
| 最大漏源電壓 | 30 V | 
| 封裝類型 | HSOF | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 8 + Tab | 
| 最大漏源電阻值 | 500 μΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最大柵閾值電壓 | 2.2V | 
| 最小柵閾值電壓 | 0.7V | 
| 最大功率耗散 | 300 W | 
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 252 nC @ 10 V | 
| 長度 | 10.1mm | 
| 寬度 | 10.58mm | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 最高工作溫度 | +150 °C |