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產(chǎn)品分類

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onsemi NTMFS4D2N10MDT1G MOSFET

訂 貨 號(hào):NTMFS4D2N10MDT1G      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NTMFS4D2N10MDT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

on ON Semiconductor n 通道 mv mosfet 采用 Advanced power trench 工藝生產(chǎn)、該工藝采用屏蔽柵極技術(shù)。此過程經(jīng)過優(yōu)化、有效減少通態(tài)電

低 rds (接通)可有效減少傳導(dǎo)
低 qg 和電容、有效減少驅(qū)動(dòng)器
低 qrr 、軟恢復(fù)體二極管


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 113 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 5
最大漏源電阻值 0.0043 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
暫無(wú)

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