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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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威世 SI2347DS-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：SI2347DS-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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威世 SI2347DS-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 P 溝道 MOSFET 是一種新時(shí)代的產(chǎn)品，柵極源電壓為 10V 時(shí)漏 - 源電阻為 42mohm。它的最大柵極源電壓為 20V ，漏極源電壓為 30V。MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 4.5V 和 10V。它具有 5A 的連續(xù)漏極電流和 1.7W 的最大功耗。 MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長(zhǎng)且高效的使用壽命，而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

? 無(wú)鹵素
?無(wú)鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

應(yīng)用

?直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
?負(fù)載開(kāi)關(guān)
?筆記本電腦適配器開(kāi)關(guān)
? 電源管理

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
?經(jīng)過(guò) RG 測(cè)試


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 P
最大連續(xù)漏極電流 5 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類(lèi)型 TO-236
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.042 O
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無(wú)

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