STMicroelectronics STripFET? F7 系列低電壓 MOSFET 具有較低設備通態電阻，內部電容和柵極電荷降低，以便更快、更高效地切換。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 100 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 5.6 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 10.4mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 12.6 nC @ 10 V |
| 寬度 | 9.35mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
