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訂 貨 號(hào):NVD5C688NLT4G 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 17 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 40 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 2.1V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 18 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±16 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 長(zhǎng)度 | 6.73mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 7 nC @ 10 V |
| 寬度 | 6.22mm |