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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi NTH4L022N120M3S MOSFET

訂 貨 號(hào)：NTH4L022N120M3S      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NTH4L022N120M3S MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

ON Semiconductor NTH4L022N120M3S 是 SiC 電源，單 N 通道 MOSFET。它采用 TO247-4L 封裝。具有 1200 V 的漏極到源電壓和 68 A 的連續(xù)漏極電流， NTH4L022N120M3S 可用于太陽(yáng)能逆變器，電動(dòng)車輛充電站， UPS (不間斷電源) ，能量存儲(chǔ)系統(tǒng)， SMPS (開(kāi)關(guān)模式電源) 等應(yīng)用。

此 m? 的典型 RDS (接通) 為 22 m Ω ， VGS 為 18 V
該設(shè)備提供低切換損耗
它經(jīng)過(guò) 100% 雪崩測(cè)試


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 68 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 TO247-4L
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 0.03 Ω
最大柵閾值電壓 4.4V
晶體管材料 SiC
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無(wú)

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