hex場 ? 功率 mosfet 硅技術(shù)的英飛凌設(shè)計采用先進的 direct 東帝汶技術(shù)封裝,在一個封裝尺寸僅為 so-8 和 0.7 mm 的封裝中實現(xiàn)最低的通態(tài)電阻 Advanced Infineon 封裝尺寸。當(dāng)在制造方法和工藝方面遵循應(yīng)用說明 a-1035 時、 direct場 封裝與電源應(yīng)用、印刷電路板裝配設(shè)備和汽相、紅外或?qū)α骱附蛹夹g(shù)中使用的現(xiàn)有布局幾何結(jié)構(gòu)兼容。
100% rg 測試低傳導(dǎo)和切換損耗
超低封裝電感、特別適用于 cpu 內(nèi)核直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 81 A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | Direct場 ometric |
安裝類型 | 表面貼裝 |
最大漏源電阻值 | 0.0064 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.45V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |