Infineon P-Channel Power MOSFET 提供設計靈活性和易操作性，以滿足最高性能要求，包括 -12V 系列產品，特別適用于電池保護、極性反接保護、線性電池充電器、負載開關、直流-直流轉換器和低電壓驅動應用。
P 通道
超低導通電阻 RDS（on）
100% 通過崩潰測試
邏輯電平或正常電平
增強型
無鉛電鍍
符合 RoHS 標準
無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 300 mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOT-23-3 |
