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產(chǎn)品分類
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onsemi NVHL110N65S3F MOSFET

訂 貨 號(hào)：NVHL110N65S3F      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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onsemi NVHL110N65S3F MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主體二極管優(yōu)化反向恢復(fù)性能，可消除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150°C 時(shí)為 700 V
超低門電荷（典型值） QG =58 NC ）
低有效輸出電容（典型 COSS (EFF.)=553pF ）
支持 PPAP
典型值 RDS (on) =93 M Ω
低溫運(yùn)行時(shí)系統(tǒng)可靠性更高
低切換損耗
支持 PPAP
應(yīng)用
HV DC/DC 轉(zhuǎn)換器
最終產(chǎn)品
板載充電器
DC/DC 轉(zhuǎn)換器


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 30 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 110 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 240 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±30 V
寬度 4.82mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 58 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 15.87mm
暫無

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