Wolfspeed 在 SiC 技術方面的領先地位得到了擴展、在新的低電感離散封裝中引入了 Advanced SiC MOSFET 技術。新推出的封裝使工程師能夠充分利用最新 C3MTM 平面 MOSFET 芯片的高頻功能。設計人員可以通過從基于硅的三層拓撲轉變為更簡單的兩層拓撲來減少組件數量、這是由于交換性能的提高而得以實現的。此設備具有低接通電阻和低柵極電荷、非常適合三相、無橋接 PFC 拓撲以及交流 - 交流轉換器和充電器。
在整個工作溫度范圍內、最小值為 1200V VBR
新低阻抗封裝，帶驅動器源
>漏極和離子源之間有 7 毫米的滲漏 / 間隙
高速切換，具有低輸出電容
高阻塞電壓，具有低 RDS（接通）
快速固有二極管，具有低反向恢復（反向恢復電荷）
易于并行且易于驅動
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 30 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 75 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.6V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 113.6 瓦 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -8 V 、 19 V |
| 晶體管材料 | SiC |
| 長度 | 10.23mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 48 常閉 @ 4/15V |
| 寬度 | 9.12mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
