Infineon IPTC019N10NM5 是 OptiMOS 5 功率 MOSFET 的一部分，采用直插式 TOP 側冷卻封裝，可提供卓越的熱性能。此創新型封裝結合 OptiMOS 5 技術的主要功能，使杰出產品具有 100 V 電壓以及 300 A 的高電流額定值，適用于高功率密度設計。通過 TOP 側面冷卻設置，排放器暴露在封裝表面， 95% 的散熱可直接提升到散熱器，與收費封裝相比， RthJA 性能提高 20% ， RthJC 性能提高 50%。通過 Toll 或 D2PAK 等底部散熱封裝，熱量通過印刷電路板散熱到散熱器，導致高功率損耗。
負支架
在冷卻系統中節省成本
提高系統效率，延長電池壽命
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 279 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | PG-HDSOP-16. |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 16 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0019 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.8V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
