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訂 貨 號(hào):NVMJS1D3N04CTWG 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPK 封裝,設(shè)計(jì)緊湊高效,具有高熱性能。MOSFET 和 PPAP 適用于需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。
體積小巧 (5 x 6 mm),可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
LFPAK8 封裝,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
支持 PPAP
這些設(shè)備無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú) BFR
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 235 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | LFPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 1.3 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 128 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | 4.9mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 65nc @10V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 長(zhǎng)度 | 5mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |