ON Semiconductor MOSFET 漏極?μ V 至?μ V 電源電壓為 60 V ,柵極?Ω 至?μ V 電源電壓為 ±20 V
體積小巧 (5 x 6 mm),可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計
低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動器損耗
?器件無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 20 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | DFN |
安裝類型 | 表面安裝器件 |