在线免费观看成年人视频-在线免费观看国产-在线免费观看国产精品-在线免费观看黄网站-在线免费观看精品

產(chǎn)品分類

當前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

Infineon IPB60R055CFD7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPB60R055CFD7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

品牌商價:¥0.00

環(huán) 球 價: 登陸后可查看

-
+

公司基本資料信息







  • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
  • 替代產(chǎn)品
  • 產(chǎn)品介紹
  • 產(chǎn)品屬性
  • 相關(guān)資料
  • 產(chǎn)品評價(0)
Infineon IPB60R055CFD7ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

the Infineon 600V coolmos ? CFD7 superjunction mosfet IPB60R055CFD7 采用 D2PAK 封裝,特別適用于高功率開關(guān)電源中的諧振拓撲,例如服務(wù)器、電信和 ev 充電站,在那里可以顯著提高效率。作為 CFD2 sj mosfet 系列的后續(xù)產(chǎn)品、它與競爭對手相比、具有更低的柵極電荷、更好的關(guān)閉行為和高達 69% 的反向恢復電荷。

超快主體二極管
同類杰出的反向恢復充電( qrr )
改進了反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅固性
最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
同類杰出的 rds (接通) / 封裝


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 38 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 55 米Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4.5V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

正在載入評論詳細...