ON Semiconductor 650 V ， 42 mΩ N 溝道碳化硅 MOSFET。碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技術，與硅相比，可提供卓越的切換性能和更高的可靠性。此外，低接通電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。因此，系統優勢包括最高效率，更快的操作頻率，更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系統尺寸。
高接點溫度
高速切換和低電容
Vgs = 18V ， mΩ = 66A 時，最大 RDS (接通) = 50 m Ω
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 66 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
