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產(chǎn)品分類

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Nexperia PMCXB900UELZ MOSFET

訂 貨 號(hào):PMCXB900UELZ      品牌:UE

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Nexperia PMCXB900UELZ MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N/P 雙溝道 MOSFET,高效性能、高效設(shè)計(jì),由于 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 組合在一個(gè)便捷的封裝內(nèi),因此這些互補(bǔ)型 MOSFET 設(shè)備為空間受限的系統(tǒng)提供更大的靈活性。我們的產(chǎn)品系列包含多種電壓和電流額定值,可滿足各種應(yīng)用的要求。

20 V,互補(bǔ)型 N/P 溝道 Trench MOSFET,互補(bǔ)型 N/P 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用無引線超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

低漏泄電流
Trench MOSFET 技術(shù)
超低閾值電壓 VGS(th) = 0.7 V,適合便攜式應(yīng)用
無引線超小型和超薄型 SMD 塑料封裝:1.1 1.0 0.37 mm
靜電放電 (ESD) 保護(hù):> 1 kV HBM
繼電器驅(qū)動(dòng)器
高速線路驅(qū)動(dòng)器
電平移位電路
電池驅(qū)動(dòng)便攜式設(shè)備的電源管理


屬性 數(shù)值
通道類型 N,P
最大連續(xù)漏極電流 600 mA
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 DFN1010B-6, SOT1216
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 3 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 0.95V
最小柵閾值電壓 0.45V
最大功率耗散 4025 mW
最大柵源電壓 8 V
每片芯片元件數(shù)目 6
長度 1.15mm
典型柵極電荷@Vgs 0.4 nC @ 10 V
寬度 1.05mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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