ON Semiconductor DFN5 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型產品、具有 80V 的漏電源電壓和 20V 的最大柵源電壓。它在 10V 的柵源電壓下具有 2.1mohm 的漏極電阻。它具有 203A 的連續漏電流和 200W 的最大功耗。 此晶體管的最小和最大驅動電壓分別為 6V 和 10V 。MOSFET 經過優化、可降低開關和傳導損耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。
? 緊湊型設計
?無鉛 (Pb)
?低 QG 和電容
?低 QG 和電容可最大限度地減少驅動器損耗
?低 RDS （接通）以最大限度地減少傳導損耗
?盡量減少傳導損耗
?盡量減少駕駛員損失
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?占地面積小（ 5x6 毫米）
? 48V 系統
? DC/DC 轉換器
?負載開關
? 電動機控制
?電源開關（高側驅動器、低側驅動器、 H 型橋等）
?切換電源
?同步整流器
? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 203 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | DFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 3.5 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 200 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 長度 | 6.1mm |
| 寬度 | 5.1mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 85 nC @ 10 V |
