Infineon 功率 MOSFET 利用最新處理技術，實現每硅區域極低的接通電阻。此設計的附加功能包括 175°C 接點工作溫度，快速切換速度和改進的重復雪崩額定值。這些功能相結合，使此設計成為極其高效和可靠的設備，適用于汽車應用和各種其他應用。
它符合 RoHS 標準且符合 AEC Q101 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 110 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | D2-Pak |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0065 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
