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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Vishay SISS73DN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：SISS73DN-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SISS73DN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

P 通道 150V (D-S) MOSFET 。

具有 ThunderFET 技術(shù)的 TrenchFET ?
極低的 RDS (on) 可最大限度地減少傳導(dǎo)造成的功率損耗


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 16.2 A
最大漏源電壓 150 V
封裝類型 PowerPak 1212-S
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 125 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 65.8 瓦
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
寬度 3.3mm
長(zhǎng)度 3.3mm
典型柵極電荷@Vgs 14.6 nC @ 10 V
暫無(wú)

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