the Infineon 100V 單 n 通道 hex場 功率 mosfet 采用 7 引腳 D2 封裝。
針對邏輯電平驅動器進行了優化
在 4.5 伏 vgs 下、極低 rds （接通）
在 4.5 伏 vgs i 下具有卓越的 r*q 性能
改進的澆口、雪崩和動態 dv/dt 堅固性
完全定性電容和雪崩 soa
增強的主體二極管 dv/dt 和 di/dt 能力
無鉛
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 190 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | D2PAK 7pin （至 263 7pin ） |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 4.1 mo |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
