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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
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onsemi NVB082N65S3F MOSFET

訂 貨 號(hào)：NVB082N65S3F      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi NVB082N65S3F MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

超 FET ? III MOSFET ON Semiconductor 公司全新的高電壓超級(jí)結(jié)點(diǎn) (SJ) MOSFET 系列，采用充電平衡技術(shù)，可提供出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)專(zhuān)門(mén)用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)小型化和更高效率。超 FET III FFET ? MOSFET 的主體二極管優(yōu)化反向恢復(fù)性能，可消除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150°C 時(shí)為 700 V
典型值 RDS (on) =64m
超低柵極電荷（典型 Qg = 81 nC）
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 722 pF）
這些設(shè)備無(wú)鉛
典型應(yīng)用
車(chē)載充電器
用于 HEV 的汽車(chē) DC/DC 轉(zhuǎn)換器


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 40 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類(lèi)型 D2PAK
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 82 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大功率耗散 313 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±30 V
寬度 9.65mm
典型柵極電荷@Vgs 81 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 10.67mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無(wú)

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