超 FET ? III MOSFET ON Semiconductor 公司全新的高電壓超級結點 (SJ) MOSFET 系列，采用充電平衡技術，可提供出色的低導通電阻和更低柵電荷性能。這種先進的技術專門用于最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統，以實現小型化和更高效率。超 FET III FFET ? MOSFET 的主體二極管優化反向恢復性能，可消除額外元件，提高系統可靠性。
TJ = 150°C 時為 700 V
典型值 RDS (on) =64m
超低柵極電荷（典型 Qg = 81 nC）
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 722 pF）
這些設備無鉛
典型應用
車載充電器
用于 HEV 的汽車 DC/DC 轉換器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 40 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 82 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大功率耗散 | 313 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 寬度 | 9.65mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 81 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 10.67mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
