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產(chǎn)品分類
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Vishay SIS862ADN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SIS862ADN-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

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Vishay SIS862ADN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

N 通道 60V (D-S) MOSFET

TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
RDSX QG 極低功耗 (FOM)
針對最低的 RDS X QOSS FOM 進行了調整


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 52 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 PowerPAK 1212
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 11 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 39 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
長度 3.15mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 3.15mm
典型柵極電荷@Vgs 19.8 nC @ 10 V
暫無

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