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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Nexperia PMV50ENEAR MOSFET

訂 貨 號(hào)：PMV50ENEAR      品牌：PMV

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Nexperia PMV50ENEAR MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

30V，N 溝道 Trench MOSFET，N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

邏輯電平兼容
超快切換
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù)：> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
繼電器驅(qū)動(dòng)器
高速線路驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電路


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 3.9 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOT23, TO-236AB
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 69 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 3.9 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 20 V
每片芯片元件數(shù)目 3
寬度 1.4mm
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 3mm
典型柵極電荷@Vgs 6 nC @ 10 V
暫無(wú)

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